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测量了分子束外延(MBE)生长的调制掺杂n-GaAlAs/GaAs的光调制反射光谱(PR),研究了光谱结构和三角阱中子能级的关系以及光反射调制谱与二维电子气(2DEG)浓度的依赖关系.实验结果与理论分析符合得较好.
调制掺杂结构的光反射光谱研究
【摘 要】
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测量了分子束外延(MBE)生长的调制掺杂n-GaAlAs/GaAs的光调制反射光谱(PR),研究了光谱结构和三角阱中子能级的关系以及光反射调制谱与二维电子气(2DEG)浓度的依赖关系.实验结
【机 构】
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中国科技大学物质结构中心和基础物理中心,中国科学院半导体研究所超晶格微结构国家重点实验室
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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1991年1期
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