【摘 要】
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我们用辉光放电法在较低的衬底温度下（90℃）获得了掺磷微晶化硅（n+μC-Si）.并对微晶化与工艺条件之间的关系进行了详细的研究,在150℃衬底温度,2％掺杂时获得了电导率近30（Qcm）-1,电
【机 构】
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南开大学电子科学系,南开大学电子科学系天津300071,天津300071,天津300071
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我们用辉光放电法在较低的衬底温度下（90℃）获得了掺磷微晶化硅（n+μC-Si）.并对微晶化与工艺条件之间的关系进行了详细的研究,在150℃衬底温度,2％掺杂时获得了电导率近30（Qcm）-1,电导激活能近似为零的微晶化材料.对微昌化材料的结构进行了小角度X光衍射,拉曼散射谱的分析,并用扫描电镜观察了形貌.这种材料的晶粒较小而且结构均匀.又由于生长温度低,rf功率小,有利于与其它器件工艺匹配.文章对实验结果进行了讨论.
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