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从GaN异质结沟道阱中电子状态出发研究了HFET中的噪声产生机理。用沟道阱中子带间散射解释了迁移率起伏引起的1／f噪声。从电子状态转移及不同状态间的跃迁出发解释了各类噪声实验结果。建立了沟道阱能带与HFET噪声性能间的关联。运用正、负极化电荷剪裁了肖特基势垒、欧姆接触及内、外沟道的势垒和主阱及副阱阱宽和势垒高度，降低了栅流、欧姆接触和外沟道串联电阻，强化了沟道阱的量子限制，减弱了子带间散射。