能带剪裁相关论文
由于器件的快速退化，101.5小时似乎成了Znse基蓝绿色半导体激光器难于逾越的寿命极限。分析退化机制，发现在强电流注入的半导体激光......
以CdSe纳米晶体为核 ,用胶体化学的方法 ,通过化学替代反应 ,获得了不同阱层或不同垒层的CdSe HgSe CdSe量子点量子阱 (QDQW)晶体 ......
由于器件的快速退化，１０１．５小时似乎成了ＺｎＳｅ基蓝绿色半导体激光器难于逾越的寿命极限。分析退化机制，发现在强电流注入的半导体激光器中，热退化......
从自洽求解薛定谔方程和泊松方程出发，研究了AlGaN／GaN量子阱电子气密度随Al组份比、势垒层厚度和栅压的变化，比较了能带带阶和极化电......
自洽求解薛定谔方程和泊松方程研究了CF。等离子体处理对AlGaN／GaN异质结能带的影响。证实了强F离子注入和势垒层的腐蚀是导致沟道......
从自洽求解薛定谔方程和泊松方程出发研究了大栅压摆动下的沟道电子状态，发现高栅压下电子波函数向势垒层的渗透和激发子带向势垒层......
在综述微波功率AlGaN/GaN HFET技术发展趋势基础上,提出了二维异质结能带优化设计的新课题。从自洽求解薛定谔方程和泊松方程出发......
从自洽求解薛定谔方程和泊松方程出发研究了GaN异质结构中的耦合沟道阱,求出了耦合沟道阱中电子状态随异质结构的变化,发现通过适......
本文扼要阐述了SiGe材料、SiGe HBT器件及电路的研究发展情况。展示了SiGe HBT的良好商业前景。对我所的SiGe技术发展水平作了简要......
从GaN异质结沟道阱中电子状态出发研究了HFET中的噪声产生机理。用沟道阱中子带间散射解释了迁移率起伏引起的1／f噪声。从电子状态......
在综述大功率AlGaN/GaN HFET性能退化实验结果的基础上,研究了器件退化与电流崩塌间的关联。分析了现有各类器件失效模型的优点和......
把Si3N4/AlGaN界面看成新的异质结,自洽求解薛定谔方程和泊松方程,建立起原位钝化和CATCVD钝化异质结构的新能带模型。运用这一模......
在忽略二维电子气波函数对势垒层渗透的前提下提出了直接求解无电子势垒层泊松方程来计算势垒层能带的新思路,提出了把势垒层以外......
从自洽求解薛定谔方程和泊松方程出发，研究了负极化电荷在强化沟道阱量子限制和能带剪裁中的作用。优化设计负极化电荷的位置后给出......
