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采用低压化学气相沉积（LPCVD）系统以高纯SiH4为气源,在p型10.16 cm〈100〉晶向单晶硅衬底SiO2层上制备纳米多晶硅薄膜,薄膜沉积温度为620℃,沉积薄膜厚度分别为30 nm、63 nm和98 nm.对不同薄膜厚度的纳米多晶硅薄膜分别在700℃、800℃和900℃下进行高温真空退火.通过X射线衍射（XRD）、Raman光谱、扫描电子显微镜（SEM）和原子力显微镜（AFM）对SiO2层上沉积的纳米多晶硅薄膜进行特性测试和表征,随着薄膜厚度的增加,沉积态薄膜结晶显著增强,择优取向为〈111〉晶