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在Kronig-Penney模型的框架内,考虑势垒和势阱中电子有效质量的差异及表面势垒的起伏,研究了半限量子阱超晶格中的度子表面态。同时,对AsGa/AlGa_(1-x)As量子阱超晶格在不同掺杂浓电x下的表面态进行了数值讨算并作了讨论。
半无限量子阱超晶格的电子表面态
【摘 要】
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在Kronig-Penney模型的框架内,考虑势垒和势阱中电子有效质量的差异及表面势垒的起伏,研究了半限量子阱超晶格中的度子表面态。同时,对AsGa/AlGa_(1-x)As量子阱超晶格在不同
【机 构】
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苏州大学物理系,苏州大学物理系
【出 处】
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苏州大学学报：自然科学版
【发表日期】
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1992年4期
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