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本文采用扩展平面波加局域轨道方法和广义梯度近似对钴硅系中Co2Si,CoSi和CoSi2三种不同硅化物的电子结构以及电子能量损失近边结构(ELNES)进行了理论计算。结果表明计算得到的硅化物中Co的ELNES很好反映了Co在费米能级以上d的未占据态密度分布,其中Co2Si和CoSi2具有金属性质;而CoSi呈现出半金属性质。计算还表明电子能量损失谱仪应具有足够高的能量分辨率(0.2 eV),电子能量损失近边结构才能正确反映出钴硅化合物的电子结构特征。