【摘 要】
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通过混合物理化学沉积法(hybrid physical-chemical vapor deposition,简称为HPCVD),我们在多种单晶衬底上制备出了MgB2超导薄膜.经测量发现MgB2薄膜在6H-SiC、c-Al2O3、MgO(
【机 构】
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北京大学物理学院人工微结构与介观物理国家重点实验室,
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通过混合物理化学沉积法(hybrid physical-chemical vapor deposition,简称为HPCVD),我们在多种单晶衬底上制备出了MgB2超导薄膜.经测量发现MgB2薄膜在6H-SiC、c-Al2O3、MgO(111)和YSZ(111)衬底上基本是沿c轴外延生长的,形成单晶薄膜;在MgO(211)、MgO(100)和钇稳定氧化锆(YSZ)(110)衬底上,MgB2晶粒的生长表现出明显的择优取向生长方式,并与晶格常数匹配关系所预言的结果一致。
By hybrid physical-chemical vapor deposition (HPCVD), we prepared a series of MgB2 superconducting thin films on a single crystal substrate.It was found that the MgB2 thin films on 6H-SiC, c-Al2O3, MgO (111) and YSZ (111) substrates are epitaxially grown along the c-axis to form a single crystal thin film. On the substrate of MgO (211), MgO (100) and Yttria stabilized zirconia (YSZ) The growth of MgB2 grains shows a significant growth pattern of preferred orientation, consistent with the predictions of lattice matching.
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