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研究了真空热处理温度对反应烧结碳化硅材料显微组织和断裂强度的影响。结果表明 :反应烧结碳化硅中的游离硅在 1 60 0℃、1 80 0℃真空热处理过程中已全部去除 ;经过 1 80 0℃真空热处理材料的强度均高于 1 60 0℃真空热处理材料的强度。在 1 80 0℃真空热处理过程中发生的碳化硅再结晶以及气孔形状的变化 ,是其强度较高的主要原因。