3D IC受热载荷作用下的数值模拟

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针对基于硅通孔技术的3DIC在工作过程中的受热问题,利用热弹性力学理论建立了三维有限元数值模拟分析模型,对结构进行了热分析,同时探讨了器件由此产生的热应力。计算结果表明,由芯片到底面的热通路为散热的主要通道,其它表面的对流条件对热场分布影响不大;芯片与通孔接触面的边角处有应力集中,在热载荷的长期、交变作用下容易发生开裂、失效。
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