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从分析纳米硅薄膜生长过程的特点出发，提出与扩散限制凝取模型不同的ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ薄膜分形凝聚模型：扩散五反应限制凝聚模型。获得的结果与实验结果符合得很好。ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ薄膜是利用等离子体增强气相淀积分方法制备的。
纳米硅薄膜分形凝聚模型
【摘 要】
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从分析纳米硅薄膜生长过程的特点出发，提出与扩散限制凝取模型不同的ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ薄膜分形凝聚模型：扩散五反应限制凝聚模型。获得的结果与实验结果符合得很好。ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ薄膜是利用等离子体增强气相
【机 构】
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北京理工大学电子工程系,北京航空航天大学非晶态物理研究室
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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1995年8期
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