AlxGa1-xN/GaN异质结二维电子气磁输运性质研究

来源 :发光学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：jtgdz

【摘要】

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在1.5K低温和0～9T的高磁场下研究了AlGaG/GaN异质结二维电子气的磁输运性质.实验结果在4块样品中都观察到了Shubnikov-daHaSS振荡的双周期行为.表明异质结的三角势阱中有两个

【出处】

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发光学报

【发表日期】

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2001年z1期

【关键词】

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磁传输特性二维电子气 AlxG1-xN/GaN

【基金项目】

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国家自然科学基金资助项目(69806006,69976014和69987001),国家高技术研究和发展计划项目和日本科学促进协会前沿研究项目(JSPS-RFTF96P00201)

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在1.5K低温和0～9T的高磁场下研究了AlGaG/GaN异质结二维电子气的磁输运性质.实验结果在4块样品中都观察到了Shubnikov-daHaSS振荡的双周期行为.表明异质结的三角势阱中有两个子带被电子占据.通过电子子带占据时电子浓度分配的线形行为得到第二子带被占据的阈值浓度为7.2×1012cm-2.通过对不同样品量子散射时间和输运迁移率的研究,说明在1.5K下远程离化施主散射在量子散射时间中起主要作用.

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