【摘 要】
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作者综合文献[4,5]和[3]的构思制得如图1所示结构的气敏元件.其特点,在采用了硅平面工艺技术的扩散法制成的热子.如此,既符合集成化制作趋势,又省去另制热子的麻烦.1.热子设
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作者综合文献[4,5]和[3]的构思制得如图1所示结构的气敏元件.其特点,在采用了硅平面工艺技术的扩散法制成的热子.如此,既符合集成化制作趋势,又省去另制热子的麻烦.1.热子设计思路（1）假设元件工作在绝热状态下,并认为SiO<sub>2</sub>层和气敏膜的热容较衬底硅片的热容小甚多,可忽略不计.则面积为A、厚度为D、密度为η、比热为C<sub>p</sub>的硅片,在时间间隔τ内,由室温t<sub>0</sub>上升到工作温度t
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