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利用蒙特卡罗分析法对GaAs flash ADC的成品率及其关键参数的灵敏度进行了定性及定量的分析．当器件阈值电压的标准偏差增大时，flash ADC的DNL，INL性能会以近似线性的关系降低且更高分辨率ADC线性性能的恶化速度更快；ADC的成品率离散达到一定程度后，以指数关系下降，且高分辨率ADC的丢码率会以更快的速度增长．分析结果表明，HBT以及带腐蚀自停止的HEMT技术是超高速高分辨率ADC的发展方向．