阴极荧光谱相关论文
本文首次报道了在腐蚀图形的（３１１）Ａ衬底上，一种新型三角形点结构的ＭＢＥ生长及其量子阱限制能量的横向变化研究．原子力显微镜三维图象清晰地显示......
本文介绍了一种可以实用的侧墙式ＧａＡｓ量子线及其列阵结构．沿〔０１－１〕方向腐蚀条形的（３１１）Ａ衬底上，分子束外延生长的各向异性导致了侧墙量子线结构的......
采用自制的立式HVPE设备,在GaN/蓝宝石复合衬底上生长了GaN厚外延膜,利用AFM,SEM,XRD,RBS/Channeling,CL,PL以及XPS等技术分析了厚......
作为一种宽禁带半导体,金刚石被期待在紫外发光二极管或激光器方面得以应用.但金刚石晶体中的杂质和空位对它的光学特性有很大的影......
GaN基宽禁带半导体是发展高功率电子器件和短波长发光器件的最重要材料体系，受到了国际上的广泛关注，GaN基半导体材料的电学和光学性......
本论文依托课题组承担的国家973项目(2009CB623700)和国家自然科学基金项目(50831001)，研究低维材料（纳米线，微米线，量子点等）的力学和......
本文利用无催化剂的简单热蒸发的方法，成功地合成了新颖的氧化锌纳米图钉，其形貌是在直径均匀的纳米柱的顶端，有一个相对尺度很大的超......
GaN基白光LED具有节能、环保、寿命长等优点，应用前景十分广阔。各国对GaN基LED的研究非常重视，纷纷制定本国半导体照明的发展规划。......
研究了MOCVD生长的具有双发射峰结构的InGaN/GaN多量子阱发光二极管（LED）的结构和发光特性.在透射电子显微镜（TEM）下可以发现量子阱的......
采用自制的立式HVPE设备，在GaN／蓝宝石复合衬底上生长了GaN厚外延膜，利用AFM，SEM，XRD，RBs／Channeling，CL，PL以及XPS等技术分析了厚膜的结构......
采用湿法化学腐蚀结合扫描电子显微镜、阴极荧光谱仪手段对GaN(0001)/Al2O3中的位错进行了研究。实验以熔融的浓度比为1∶1的KOH-N......
纤锌矿（WZ）/闪锌矿（ZB）结构以及WZ/ZB超结构广泛存在于一维Ⅲ-Ⅴ族半导体材料中。本文采用TEM和CL（阴极荧光谱）准原位表征的方法,对GaN纳......
采用离子注入方法制备了一系列不同Er离子剂量的GaN薄膜,并在不同温度、不同气氛下进行了退火处理。深入研究了退火温度和退火气氛......
测量了三代像增强器和超二代像增强器的阴极光谱反射率,结果表明在500～800 nm波长范围内,GaAs阴极的平均光谱反射率仅为6.5%,而Na2K......
研究了MOCVD生长的具有双发射峰结构的InGaN/GaN多量子阱发光二极管(LED)的结构和发光特性.在透射电子显微镜(TEM)下可以发现量子......
锆石等测年矿物的阴极荧光(CL)图像分析是矿物微区成分分析和U(Th)-Pb年龄测定及其地质意义讨论的必要性前期工作.文中介绍了一套......
