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旁栅效应是制约GaAs集成电路性能和集成度的有害寄生效应。本文研究了MESFET电路的旁栅效应的光敏特性和迟滞现象 ,认为这两个现象可能与衬底深能级 (如EL2 )有密切的关系 ,通过减小衬底杂质补偿度有可能减轻旁栅效应影响。
GaAs衬底深能级EL2与电路旁栅效应的光敏特征和迟滞现象
【摘 要】
：
旁栅效应是制约GaAs集成电路性能和集成度的有害寄生效应。本文研究了MESFET电路的旁栅效应的光敏特性和迟滞现象 ,认为这两个现象可能与衬底深能级 (如EL2 )有密切的关系 ,
【机 构】
：
合肥工业大学应用物理系半导体器件与微电子专业!合肥,230009,中国科学院上海冶金所!上海,200050,中国科学院上海冶金
【出 处】
：
微电子技术
【发表日期】
：
2000年2期
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