【摘 要】
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采用在位监控方法研究了MOCVD系统中GaN材料的外延生长速率与NH3流量、TMGa流量、Ⅴ／Ⅲ比等生长参数的关系．GaN生长速率随NH3流量的提高先增加后减小，而随TMGa流量的增加线性的
【机 构】
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中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室
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采用在位监控方法研究了MOCVD系统中GaN材料的外延生长速率与NH3流量、TMGa流量、Ⅴ／Ⅲ比等生长参数的关系．GaN生长速率随NH3流量的提高先增加后减小，而随TMGa流量的增加线性的增加．在不同NH3流量的情况下，GaN生长速率随TMGa流量增加的速率不同．GaN的生长速率与Ⅴ／Ⅲ比没有直接的关系，而与NH3，TMGa等条件有关．实验结果表明，MOCVD系统中存在着较强的预反应．预反应的程度与TMGa的流量成正比。
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