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将半导体量子阱中界面磁极化子的自陷能分为ＬＯ和ＩＯ声子部分，研究自陷能的温度依赖性。
有限温度下量子阱中的磁极化子
【摘 要】
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将半导体量子阱中界面磁极化子的自陷能分为ＬＯ和ＩＯ声子部分，研究自陷能的温度依赖性。
【机 构】
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应用物理系
【出 处】
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上海交通大学学报
【发表日期】
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1997年1期
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