【摘 要】
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利用 UHV/CVD技术 ,在较低的温度下 ,在阳极氧化形成的双层多孔硅上 ,成功地生长了单晶性好、厚度均匀、电阻率分布合适的硅单晶外延层。这为进一步研制 SOI材料与器件提供了
【机 构】
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利用 UHV/CVD技术 ,在较低的温度下 ,在阳极氧化形成的双层多孔硅上 ,成功地生长了单晶性好、厚度均匀、电阻率分布合适的硅单晶外延层。这为进一步研制 SOI材料与器件提供了所需的薄硅外延层。
Using the UHV / CVD technique, a single crystal silicon single crystal epitaxial layer with good single crystal, uniform thickness and proper resistivity distribution was successfully grown on the anodized double-layered porous silicon at a lower temperature. This provides the desired thin silicon epitaxial layer for further development of SOI materials and devices.
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