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采用光增益与载流子浓度的对数关系，考虑到非辐射复合的影响，从理论上推导出多量子阱垂直腔面发射半导体激光器（VCSEL）的速率方程。讨论了阈值电流密度、最佳阱数与器件参数（腔长和端面反射率）之间的关系，为改善VCSEL阈值特性和优化器件结构提供了理论依据。
多量子阱VCSEL速率方程的数值模拟分析
【摘 要】
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采用光增益与载流子浓度的对数关系，考虑到非辐射复合的影响，从理论上推导出多量子阱垂直腔面发射半导体激光器（VCSEL）的速率方程。讨论了阈值电流密度、最佳阱数与器件参数（腔长
【机 构】
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中国计量学院信息工程学院光电子系,华南师范大学光电子材料与技术研究所
【出 处】
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半导体光电
【发表日期】
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2007年5期
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