【摘 要】
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利用溶胶-凝胶（Sol-gel）法在单晶硅（100）衬底上分别制备了ZnO：V薄膜和纯ZnO薄膜.为进一步研究后退火对ZnO：V薄膜结构和发光性质的影响,在两段式快速退火后又在800 ℃下进行了后退火
【基金项目】
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河南省高校创新人才培养工程（2002006）,河南省杰出人才创新基金（0421001500）资助项目
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利用溶胶-凝胶（Sol-gel）法在单晶硅（100）衬底上分别制备了ZnO：V薄膜和纯ZnO薄膜.为进一步研究后退火对ZnO：V薄膜结构和发光性质的影响,在两段式快速退火后又在800 ℃下进行了后退火处理.X 射线衍射的结果表明：后退火处理前,钒（V）的掺入使ZnO结晶质量变差,而800 ℃退火处理后,从ZnO的衍射峰中可以看出,相对于无V杂样品其结晶质量变好.扫描电子显微镜形貌图中可以看出制备的样品薄膜颗粒大小均匀,薄膜致密度较高.光致发光（PL）谱的研究表明：ZnO：V薄膜在800 ℃退火处理后,紫外
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