【摘 要】
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用Sol-Gel法制备KTN多晶粉末,在富氧气氛下烧结富钾KTN陶瓷,代替KTN单晶作为靶材,用PLD技术结合后期退火技术,在透明石英单晶(100)上制备出高取向的透明KTN薄膜,对薄膜厚度、
【机 构】
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清华大学热能工程系相变与界面传递现象实验室,华中科技大学物理系
【基金项目】
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致谢：感谢王世敏教授、马卫东博士、陈中军博士与作者进行的有益讨论.
论文部分内容阅读
用Sol-Gel法制备KTN多晶粉末,在富氧气氛下烧结富钾KTN陶瓷,代替KTN单晶作为靶材,用PLD技术结合后期退火技术,在透明石英单晶(100)上制备出高取向的透明KTN薄膜,对薄膜厚度、折射率、伏～安(I～V)特性、介电特性进行了测试与分析.I～V特性表明,低电场强度下,I～V服从欧姆定律,高电场强度下,I～V服从平方关系,可用空间电荷限制电流模型解释.电容～测试电场频率(C～F)特性表明,低频电容色散大,高频色散小,10kHz时介电常数为12600.
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