【摘 要】
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本文根据a-Si材料的性能参数,计算了pin器件中的结电场分布ε(x)及其极小值ε_(min),求出在一定条件下的满足全收集的最佳(大)i层厚度,并在这个基础上较严格地计算了E_(g1)=1
【机 构】
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内蒙古大学物理系,内蒙古大学物理系,内蒙古大学物理系,
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本文根据a-Si材料的性能参数,计算了pin器件中的结电场分布ε(x)及其极小值ε_(min),求出在一定条件下的满足全收集的最佳(大)i层厚度,并在这个基础上较严格地计算了E_(g1)=1.9eV的a-Si:H和E_(g2)=1.5eV的a-Si:Ge:H两种材料的pin单结太阳电池及由它们组成的二重结器件的光伏特性,在条件相近的条件下,a-Si:Ge:H pin单结太阳电池的效率与Mitchell的实驻结果相当接近。我们的二重结计算结果与DMM在相近条件下估算的结果接近。
In this paper, according to the performance parameters of a-Si material, the distribution of the electric field ε (x) and its minimum ε_ (min) in the pin device are calculated and the optimal (large) i Layer thickness, and on this basis more rigorously calculate the pin single-junction sun of both a-Si: H with E_ (g1) = 1.9 eV and a-Si: Ge: H with E_ (g2) = 1.5 eV The photovoltaic properties of the cells and the dual junction devices made of them are similar to those of Mitchell under similar conditions for a-Si: Ge: H pin single-junction solar cells. Our double junction results are similar to the DMM results under similar conditions.
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