反相器相关论文
某型装备在进行遥测信号采集分析时发现测试转阶段断电瞬间，引信执行级“动作（t）”信号异常跳变。该文针对引信出现该异常“动作（t）”信......
期刊
二维过渡金属硫族化合物（TMDC）凭借着其原子级的厚度和优异的半导体性质成为后摩尔时代最有希望延续摩尔定律的材料。硫化钼（MoS2）是其......
集成电路的发展一直遵循摩尔定律快速前进,随着晶体管的数量不断增加,同时芯片的性能也在不断提高。目前集成电路的尺寸已经进入纳......
以InGaZnO为代表的氧化物半导体薄膜晶体管具有电子迁移率高、截止电流低、稳定性强、均匀性好、可见光透明和制备温度低等诸多优......
近年来,一维（1D）纳米结构由于其独特的理化性质、优异的传输特性、大的比表面积以及良好的稳定性而受到广泛关注。以In2O3为代表的1D......
人类探索太空取得的成就与集成电路技术密不可分,卫星、飞船以及星际探测器等航天器中的系统都是由集成电路实现的。处于宇宙中的......
物理不可克隆函数(PUF)作为一种可有效地应对硬件安全问题的电路结构,在近些年得到了广泛的关注.环形振荡器(RO)PUF由于不需要完全......
整流器是将交流信号转变为直流信号的器件,在逻辑电路、电力传输等领域有着重要应用。当前,市场上使用的整流器主要是通过硅基PN结......
集成电路工艺已发展到5纳米节点,器件物理尺寸的持续缩减已难以满足市场对于电路性能和功耗的需求,研究者提出了多种新型低功耗半......
柔性有机薄膜晶体管（Organic Thin Film Transistors,OTFTs）通常制备温度低,工艺简单,在柔性显示、传感器、电子标签等领域受到广泛......
作为电子系统中重要的接口模块,模数转换器（Analog-to-Digital Converter,ADC）被应用于各类电子设备之中。随着半导体制造工艺和集成......
从比较运算的角度重新定义了Boole代数中的与、或、非等3种基本运算,并根据电压信号易于实现比较运算的特点分析了双极型晶体管发......
基于超声波探测障碍物的原理,采用AVR单片机ATMEGA16作为主控制器,开发了一种基于单片机的超声波汽车辅助驾驶系统,并对该系统的硬......
图1示出了一种可编程的2～65的分频器/除法器电路。它具有电路简单,价格低廉等特点。它是由一个长度可变的移位寄存器(CC4557),一个......
本文介绍的这种开关适用于各种无触点的开关电路.通过一些辅助电路可制成有触点的开关,以便与强电电路衔接.触摸开关电路如图1所......
５１４温控加热器电路设计的这种加热器电路能使底盘的印相材料保持预热状态，此外，还证明加热器对摄影师的暗房也是有用的。加热器装在一个......
一种由５５５定时电路组成的过电流保护电路韩有望（甘肃省铝业公司铝型材厂，兰州，７３１）０７０）本电路的电气原理如下图所示。电路山检测、比较、倒相、执......
本文介绍一种能给出两个正交正弦波的简单振荡器电路。频率范围１Ｈｚ～１００ＭＨｚ，而且每１０倍频程都可通过电压控制。该电路由两个９０°移相级组成，移相级采......
本文提出一种ＭＯＳ型反相器电路，并分析了电路的工作原理，ＳＰＩＣＥ模拟表明，在±５Ｖ电源电压，输入±３．６Ｖ范围内，非线性误差小于±０．４８％。文中还给出了这种反相器的......
本文讨论了OC门上拉电阻的计算,指出传统的电阻最大值计算公式是有片面性的,在此基础上,本文进一步从理论和实验两方面讨论了缺省......
图1a所示简单电路可将输入宽脉冲的冗长部分剪截至10毫微秒的宽度。该电路的输入为宽度大于10毫微秒的低电平TTL脉冲,或为经过高......
在室温～２００℃的不同温度下测量了薄膜全耗尽ＣＭＯＳ／ＳＩＭＯＸ（ＳｅｐａｒａｔｉｏｎｂｙＩｍｐｌａｎｔｅｄＯｘｙｇｅｎ）的Ｐ沟，Ｎ沟ＭＯＳＦＥＴ的亚阈特性曲线，分析了阈值电压和泄漏电流随温度的变化关系，并同相应的体硅器件作了比......
报道了第一个宽带隙半导体ＳｉＣ数字集成电路。用离子注入ＭＯＳＦＥＴ与非自对准金属栅在增强型ＮＭＯＳ中实现这些逻辑门。已经制备并表征了反相器、ＮＡＮＤ和ＮＯＲ门、......
利用CMOS反相器互补输出端的电阻特性,可以使电压放大器的输出电压摆动范围接近于电源电压。本电路使用六个并联的CMOS反相器将放......
本文讨论了SOI栅控混合管（GCHT）的设计及制备．对这种器件的物理机制进行了实验验证，得到结论：GCHT漏端电流在栅压较高时趋向于双极电流，......
编码器在自动控制和信息处理技术中,已成为不可或缺的器件之一.其中磁鼓编码器,以其结构简单,性价比高见长,在数控机床等方面应用......
本电路可任意设定100小时内以1小时为步进的定时周期,定时周期一到便自动切断负载。采用常用振荡器芯片和十进计数器芯片。4060为......
介绍了相位差调制器及测量器的原理框图、主要性能指标及电路实现。前者利用数控脉宽调制方法对两路输出的同频脉冲信号进行相位差......
ＴＩ通用器件选购指南ＳＮ７４ＨＣ×××：高速ＣＭＯＳ逻辑系列工作电压：＋５Ｖ工艺：ＣＭＯＳ典型传输速率：２５ｎｓ驱动电流（－ＩＯＨ／ＩＯＬ：－８／８ｍＡ型号管脚后缀说明零售价（元）型号管脚后缀说明零售价（元）ＳＮ７４ＨＣ００ＳＮ７４ＨＣ０２ＳＮ７４Ｈ...
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介绍了中小规模逻辑电路的单粒子效应实验。单粒子效应实验是在中国原子能科学研究院核物理国家实验室的ＨＩ－１３型串列加速器上完成的。用......
采用全耗尽CMOS／SIMOX工艺成功地研制出了沟道长度为0．5μm的可在1．5V和3．0V电源电压下工作的SOI器件和环形振荡器电路．在1．5V和3．0V电源......
大多数有内部激励器的压电蜂鸣器的声压在9V电池供电时只能达到80dB左右。本电路用9V电池可产生震耳欲聋的110dB声响。 本电路用......
研究了ＣＭＯＳ反相器在低电压低功率模拟系统中的应用，基于对传统ＣＭＯＳ反相器电路的分析，提出了新颖的一阶低通、高通和全通ＣＭＯＳ滤波器，它具有工作电压......
冠心病人一般都随身携带救心保险盒,但当冠心病突然发作时病人自己无力开盒取药,有了本文介绍的触摸式报警器后,病人发病时只要按......
在一些录像机、大屏幕彩色电视机中使用一种带阻晶体管,作反相器或跟随器。这类管子的外形类似于一般普通的晶体三极管,但其内部......
本文讨论了一种SOI退火推进型栅控混合管（DGCHT）的设计与制备．实验结果表明，这种混合管与以前提出的混合管相比，可在不需要亚微米工艺情......
本文对多晶抬高源漏（ＰＥＳＤ）ＭＯＳＦＥＴ的结构作了描述，并对深亚微米ＰＥＳＤＭＯＳ－ＦＥＴ的特性进行了模拟和研究，看到ＰＥＳＤＭＯＳＦＥＴ具有比较好的短沟道特性和亚阈值特性，其输出电流和跨导......
本文介绍一种磁卡电子密码锁,它利用磁电耦合的方式,在非金属片中粘贴小块永久磁铁或磁性粘膏等磁性材料制成磁卡,并依靠磁卡上磁......
本文对基于集成门电路的无稳态触发器的设计原理进行了深入研究，提出了分别由存贮-振荡原理、稳态消除原理和石英晶体工作原理出发......
爱好者在电子制作中有时需要精确的秒信号发生电路。通常是采用专用或通用数字集成芯片组装而成。从经济和繁简程度上考虑,可采用......
