【摘 要】
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随着高K、金属栅材料引入到CMOS工艺，高K／双金属栅的集成已成为研究热点。利用多晶硅回刻和掺杂结合两步全硅化工艺的方案，可实现低功耗和高性能电路的高K与双FUSI金属栅的集成
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随着高K、金属栅材料引入到CMOS工艺，高K／双金属栅的集成已成为研究热点。利用多晶硅回刻和掺杂结合两步全硅化工艺的方案，可实现低功耗和高性能电路的高K与双FUSI金属栅的集成。采用淀积一刻蚀一再淀积、双高K双金属栅的集成方案，也可实现高K与双金属栅的集成。为缓解费米能级钉扎效应，通过盖帽层或离子注入技术对高K或金属栅掺杂，可得到具有带边功函数的高K／双金属栅集成。多晶硅／金属栅复合结构为高K与双金属栅的集成提供了更灵活的选择。
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