【摘 要】
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采用接替离子层吸附反应(SILAR)沉积法成功地在KCu7S4微米线上沉积CuO纳米片得到CuO/KCu7S4复合纳米材料,并应用于超级电容器的电极。通过对该纳米复合材料表征表明,随沉积次
【基金项目】
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广西自然科学基金资助项目(2016GXNSFBA380190,2018GXNSFAA138041),有色金属及材料加工新技术教育部重点实验室开放基金资助项目(14KF-10),桂林理工大学博士科研启动金和桂林理工大学大学生创新创业资助项目(201810596155)
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采用接替离子层吸附反应(SILAR)沉积法成功地在KCu7S4微米线上沉积CuO纳米片得到CuO/KCu7S4复合纳米材料,并应用于超级电容器的电极。通过对该纳米复合材料表征表明,随沉积次数增加,CuO的含量增加,该CuO为片状结构,均匀地分布于KCu7S4微米线上。在1A/g的电流密度下,沉积次数分别为0、20、40和60的样品比电容分别为10.04、25.52、30.84和40.92F/g。CuO/KCu7S4-60在0.7A/g的电流密度下比电容为47.6F/g,并且在5A/g的电流密度下进行100
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