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负带隙HgCdTe体材料的磁输运特性研究

来源 :物理学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：jpy_2008

【摘 要】

：

通过单晶生长了Cd组分为0.1的p型HgCdTe体材料,并制备了具有倒置型能带序的HgCdTe场效应器件.通过磁输运测试,在负带隙HgCdTe体材料中观察到明显的量子霍尔平台效应和Shubnik

【作 者】

：

沈丹萍 张晓东 孙艳 康亭亭 戴宁 褚君浩 俞国林 

【机 构】

：

东华大学理学院,中国科学院上海技术物理研究所

【出 处】

：

物理学报

【发表日期】

：

2017年24期

【关键词】

：

HGCDTE Shubnikov-de Haas振荡 零场自旋分裂能 HgCdTe  Shubnikov-de Haas oscillation  zero-f 

【基金项目】

：

国家重点研发计划（批准号：2016YFA0202201）, 国家自然科学基金（批准号：11774367）资助的课题~~

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通过单晶生长了Cd组分为0.1的p型HgCdTe体材料,并制备了具有倒置型能带序的HgCdTe场效应器件.通过磁输运测试,在负带隙HgCdTe体材料中观察到明显的量子霍尔平台效应和Shubnikov-de Haas（SdH）振荡效应,证明样品具有较好的质量.利用SdH振荡对1/B关系的快速傅里叶变换,得到了样品的零场自旋分裂能约为26.55 meV,证明样品中存在强自旋-轨道耦合作用.进一步分析SdH中的拍频节点估算了样品中的有效g因子约为–11.54.

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