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对纳米晶SiC薄膜进行了P和B的掺杂，B掺杂效率比P高，其暗电导预前因子与激活能遵守Meyer-Neldel规则，并有反转Meyer-Neldel规则出现，掺杂效率比非晶态碳化硅薄膜高是纳米碳化硅薄的特点之一，非晶态中的隧穿和边界透射对输运有一定贡献。
纳米4—H碳化硅薄膜的掺杂现象
【摘 要】
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对纳米晶SiC薄膜进行了P和B的掺杂，B掺杂效率比P高，其暗电导预前因子与激活能遵守Meyer-Neldel规则，并有反转Meyer-Neldel规则出现，掺杂效率比非晶态碳化硅薄膜高是纳米碳化硅薄
【机 构】
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华中科技大学电子科学与技术系
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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2002年7期
【基金项目】
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国家教委博士点学科基金 ( 99J10 384) ,湖北省重大项目 ( 2 0 0 0Z0 40 0 7) ,湖北省自然科学基金 (J990 70 13) ,武汉市重点科技攻关资助项目~~
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