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等离子体氧化锗膜的抛物线生长规律及氮化改性
等离子体氧化锗膜的抛物线生长规律及氮化改性
来源 :半导体杂志 | 被引量 : 0次 | 上传用户:yayagrace8
【摘 要】
:
在恒定直流偏压下,在稍长时间t以后,等离子体气体锗膜生长遵从抛物线规律X^2t-X^2e=kt,并由离子迁移理论推导出氧化速率常数k。由于电场增强输运,等离子体阳极氧化锗膜的生长速率比热氧化锗膜高
【作 者】
:
徐志元
刘春荣
【机 构】
:
安徽大学物理系
【出 处】
:
半导体杂志
【发表日期】
:
1997年4期
【关键词】
:
OPA膜
C-MOS
锗
等离子体氧化
抛物线生长
氧化
Geplasma anodizationparabolic growthnitridation
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在恒定直流偏压下,在稍长时间t以后,等离子体气体锗膜生长遵从抛物线规律X^2t-X^2e=kt,并由离子迁移理论推导出氧化速率常数k。由于电场增强输运,等离子体阳极氧化锗膜的生长速率比热氧化锗膜高得多。经等离子体氮化之后,GeOxNy膜具有优良的抗湿性能。
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