【摘 要】
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采用H2S硫化的方法制备铜铟镓硒硫(Cu(In1-xGax)(Se1-ySy)2,CIGSeS)吸收层,研究硫化温度和时间对CIGSeS吸收层和电池性能的影响.结果 表明,550～580℃硫化处理时,电池的开路电
【机 构】
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中国科学院上海微系统与信息技术研究所新能源技术中心,上海201800;中国科学院大学,北京100049;中国科学院上海微系统与信息技术研究所新能源技术中心,上海,201800
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采用H2S硫化的方法制备铜铟镓硒硫(Cu(In1-xGax)(Se1-ySy)2,CIGSeS)吸收层,研究硫化温度和时间对CIGSeS吸收层和电池性能的影响.结果 表明,550～580℃硫化处理时,电池的开路电压得到有效提升,但硫化温度为600℃时,薄膜表面出现局部开裂现象,电池短路电流和效率严重下降.硫化处理可促进铜铟镓硒(Cu(In1-xGa,)Se2,CIGSe)吸收层内Ga元素向表面扩散,Ga和S的共同作用可有效提高吸收层表面带隙和太阳电池的开路电压.最终,采用580℃硫化30 min条件下制备的太阳电池开路电压比硫化处理前提高约80 mV,填充因子提高约5％,最高效率为13.69％,有效面积效率为14.62％.而采用580℃硫化10 min后再降温硫化20 rmin的变温硫化工艺不仅可减少热预算,而且可制备出同580℃恒温硫化30 min时转换效率相当的太阳电池.
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