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退火处理后的CsI:Pb晶体在10～30K温度范围内观察到两类发光:当激发波长为410nm,主要发光带在464nm附近;而当激发波长为360nm或300nm,主发射带为422nm。这两种发光带的相对强度与退火时间的长短密切相关。讨论了CsI:Pb晶体中不同的Pb2＋基聚集相的形成机制和发光机理。