【摘 要】
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为了实现MOCVD外延生长过程中的PL谱原位测量。利用经过特殊改造的M680红外测温石英光学探针、分支石英光纤、半导体激光器、光谱仪、OD值为6的单波陷波滤光片,在THOMAS SWAN
【机 构】
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商洛学院化学工程与现代材料学院,南昌大学材料科学与工程学院,南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心
【基金项目】
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国家重点研发计划“战略性先进电子材料”重点专项(2017YFB0403700);国家自然科学基金(61864008)
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为了实现MOCVD外延生长过程中的PL谱原位测量。利用经过特殊改造的M680红外测温石英光学探针、分支石英光纤、半导体激光器、光谱仪、OD值为6的单波陷波滤光片,在THOMAS SWAN CCS型MOCVD反应室上实现了Si(111)衬底Ga N基In Ga N/Ga N MQW外延生长过程原位PL谱测量。研究结果表明:该原位PL谱测量系统,能够实现激发光的导入、PL谱信号的收集、反射激光及杂散光的过滤;当温度降低至600℃以下时,MOCVD反应室内红外辐射对PL测量的影响可以忽略;该原位PL谱测量方法可推广至Al2O3衬底外延生长。该研究可为MOCVD原位PL谱测量设备开发提供参考。
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