【摘 要】
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本实验主要采用静态气压与流动氮气气氛进行对比实验，探究反应烧结氮化硅陶瓷中Si粉质量分数对Si3N4陶瓷材料氮化率及力学性能的影响。研究发现，当采用静态2 MPa氮气压对Si粉进行氮化时，氮化率达到97%，明显高于流动氮气气氛的氮化率（91%）。说明在静态氮气时较高的气压更加利于氮气的扩散和氮化反应。同时，在静态气压反应烧结Si3N4陶瓷材料中，利用SEM等手段分析发现当Si粉质量分数超过10%时
【基金项目】
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潍坊市科技发展计划项目（2021GX001）；
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本实验主要采用静态气压与流动氮气气氛进行对比实验，探究反应烧结氮化硅陶瓷中Si粉质量分数对Si3N4陶瓷材料氮化率及力学性能的影响。研究发现，当采用静态2 MPa氮气压对Si粉进行氮化时，氮化率达到97%，明显高于流动氮气气氛的氮化率（91%）。说明在静态氮气时较高的气压更加利于氮气的扩散和氮化反应。同时，在静态气压反应烧结Si3N4陶瓷材料中，利用SEM等手段分析发现当Si粉质量分数超过10%时，Si3N4陶瓷材料表明出现气孔。这是因为随着Si粉质量分数的增加，Si粉在熔融状态下发生迁徙聚集现象，造成坯体内部再生空隙增加，导致维氏硬度和抗折强度随Si粉质量分数的增加而递减。
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