GaInNAs／GaAs量子阱结构基态光跃迁的能量

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：ustczl

【摘要】

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从理论和实验两个方面对GaInNAs／GaAs量子阱结构基态的光跃迁能量进行研究．在理论计算过程中，分别采用电子有效质量近似法和双能级推斥模型计算了GaInNAs合金的电子空穴分立能级

【作者】

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杨景海杨丽丽张永军刘文彦王丹丹郎集会赵庆祥

【机构】

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吉林师范大学凝聚态物理研究所,中国科学院长春光学精密机械与物理研究所激发态重点实验室,查尔摩斯技术大学光电物理所

【出处】

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半导体学报

【发表日期】

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2006年11期

【关键词】

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量子阱光跃迁能量有效质量近似分子束外延 quantum well optical transition energy effective-mass a

【基金项目】

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国家重点基础研究发展计划资助项目（批准号：2003CD314702-02）

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从理论和实验两个方面对GaInNAs／GaAs量子阱结构基态的光跃迁能量进行研究．在理论计算过程中，分别采用电子有效质量近似法和双能级推斥模型计算了GaInNAs合金的电子空穴分立能级的能量及其带隙能，讨论了由应变引起的带隙变化量．将理论计算结果与光致发光的实验结果进行比较，两者符合得很好．并简单分析了N的加入对GaInNAs合金带隙能产生的影响．

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