【摘 要】
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加拿大国家研究院(NRC)的“分子束外延(MBE)生长半绝缘掺C GaN”获得美国专利(专利号6544867)。该专利描述了通过掺杂C并用胺分子束外延生长半绝缘GaN外延层的方法。基于这
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加拿大国家研究院(NRC)的“分子束外延(MBE)生长半绝缘掺C GaN”获得美国专利(专利号6544867)。该专利描述了通过掺杂C并用胺分子束外延生长半绝缘GaN外延层的方法。基于这种AlGaN/GaN异质结构的MODFET演示表明极有望获得高频、高功率和高温性能。用MOCVCD和MBE两种生长技术成功地生长出上述高品质MODFET结构。尽管
U.S. Patent No. 6544867 for “Molecular Beam Epitaxy (MBE) Growth Semi-Insulating Codoping” by the National Institutes of Canada (NRC). This patent describes a method for growing a semi-insulating GaN epitaxial layer by doping C and epitaxially using amine molecular beam. MODFET demonstrations based on this AlGaN / GaN heterostructure show very promising high frequency, high power and high temperature performance. The above high quality MODFET structures have been successfully grown using both MOCVCD and MBE growth techniques. in spite of
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