MODFET相关论文
加拿大国家研究院(NRC)的“分子束外延(MBE)生长半绝缘掺C GaN”获得美国专利(专利号6544867)。该专利描述了通过掺杂C并用胺分子......
本文首次报导了用MBE法在硅衬底上生长的1μm栅GaAs/AlGaAs调制掺杂场效应晶体管(MODFET)的微波特性。室温下,硅上这种结构的最大......
美刊《IEEE EDL》1990年11月报道了毫米波双量子阱膺配MODFET器件的最新进展.近年来研究证实,膺配MODFET器件适宜于毫米波应用.它......
在Ｓｉ衬底上生长高跨导ｐ型Ｇｅ沟ＭＯＤＦＥＴ＝ｐ－ＴｙｐｅＧｅ－ｃｈａｎｎｅｌＭＯＤＦＥＴ’ｓｗｉｔｈｈｉｇｈｔｒａｎｓｃｏｎｄｕｃｔａｎｃｅｇｒｏｗｎｏｎＳｉｓｕｂｓｔｒａｔｅｓ［刊，英］／Ｋｏｎｉｇ，Ｕ．…／／ＩＥＥＥＥｌｅｃｔｒｏｎＤｅｖｉｃｅ...
Growth of high-transconductance p-type Ge ditch MODFETs on p-Si substrates = p-TypeGe......
Characterization of electrical properties of AlGaN/GaN interface using coupled Schr(o)dinger and Poi
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
本文介绍一种自对性P型SiGe调制掺杂的场效应晶体管（MODFET’S）的新工艺，该工艺生产的器件保留了常规MODFET’S的高的调制效率，又克服......
本文考虑了费米能级随栅电压的变化,得到调制掺杂场效应管的栅极与沟道的实际距离增大90A左右,从而引起栅极电容和跨导的明显减少;......
本文对 E/D 型 MODFET 直接耦合倒相器进行了设计与研制。利用国产分子束外延设备制备的 AlxGa1-xAs/Ga As 调制掺杂外延材料,采用......
自从Ｍｉｍｕｒａ等人１９８０年首次研制出了第一只高电子迁移率晶体管（ＨＥＭＴ），其优越的电子传输性能备受注目，可望在超高速数字电路和逻辑集成电路中得到广泛应......
成功地制作出常断ＧａＮ基ＭＯＤＦＥＴ（调制掺杂ＦＥＴ）。该器件的栅长和沟道长度分别为３和５μｍ，其非本征跨导高达１２０ｍＳ／ｍｍ，在正栅偏压为３Ｖ时其电流为３００ｍＡ／ｍｍ。该跨导值与先前报道的......
