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以四氯化锆（ZrCl4）和正硅酸乙酯（TEOS）分别为锆源和硅源，采用非水解溶胶-凝胶法结合浸渍-提拉镀膜工艺在碳化硅（SIC）表面制备出抗氧化硅酸锆（ZrSiO4）薄膜。采用XRD、SEM分析测试手段研究了前驱体浓度、镀膜次数、四丁基溴化铵（TBAB）对ZrSiO4薄膜形貌和薄膜厚度的影响。结果表明：当前驱体浓度为0．6mol／L，4次镀膜，加入7wt．％的TBAB，可以在SiC基底上制备出表面光滑、致密、无开裂，膜厚约为300nm的ZrSiO4薄膜。该薄膜在1450℃具有良好的高温抗氧化性能。