【摘 要】
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随着半导体技术的发展,Si基体上生长的高介电常数的钙钛矿晶体氧化物薄膜如SrTiO3(STO)也受到了广泛关注.SrTiO3(a=0.3905nm)在沿Si(001)方向旋转45℃之后和Si(d=0.384nm)之
【机 构】
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中国科学院物理研究所,中国科学院物理研究所
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随着半导体技术的发展,Si基体上生长的高介电常数的钙钛矿晶体氧化物薄膜如SrTiO3(STO)也受到了广泛关注.SrTiO3(a=0.3905nm)在沿Si(001)方向旋转45℃之后和Si(d=0.384nm)之间的点阵错配很小(～1.7%),同时也有各种晶体氧化物薄膜在Si基体上生长很好的缓冲材料.本文主要利用透射电子显微镜和电子全息技术对薄膜的截面样品进行了界面微结构的研究.
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