SI(001)相关论文
目前采用高迁移率Ⅲ-Ⅴ族材料半导体来替代Si材料延展摩尔定律已经是近期微电子领域的前沿课题.而Si衬底上选区外延生长Ⅲ-Ⅴ族材......
紧张技术是改进洞活动性和互补金属氧化物半导体设备性能的一个有效方法。在拉紧的 Si (001 ) 的四角形的紧张导致洞活动性改进被......
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采用第一原理密度泛函理论方法研究了小富勒烯C28在Si(001)-c(2×1)表面的化学吸附机理.分析了吸附前后基底和富勒烯构型的变化、......
本文用第一原理总能理论研究了金属Au在Si（001）面的吸附与扩散。计算表明，Au原子的稳定吸附住置处于顶层四个Si原子的中心，当Au原子处......
研究了用电子回旋共振(ECR)等离子体增强金属有机物化学气相沉积（PEMOCVD）技术在Si(001）衬底上，低温（620－720℃）下GaN薄膜的直接外延生长......
物理研究所王建涛等与他们的日本合作者，近年来系统地研究了半导体Si（001）表面Bi纳米线的结构稳定性。最近，他们又系统地研究了第V族元......
采用第一原理密度泛函理论方法研究了小富勒烯C28在Si（001）-c（2×1）表面的化学吸附机理，分析了吸附前后基底和富勒烯构型的变化、吸......
The adsorptions of a series of alkali metal(AM) atoms, Li, Na, K, Rb and Cs, on a Si(001)-2×2 surface at 0.25 monol......
采用基于第一性原理的密度泛函方法对Si（001）表面进行理论研究，通过几何优化得到Si（001）表面的稳定结构。在结构优化的基础上，针对该表面......
