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采用材料梯度化设计思路，将传统电子陶瓷工艺的单层装料一次干压成型工序改进为逐层装料一次干压成型工序。沿着实现ZnO压敏陶瓷低压化的主要途径：减小ZnO压敏电阻器瓷片的厚度和增大ZnO平均晶粒尺寸，在烧结温度1100℃下，制备出电学性能理想的梯度ZnO低压压敏陶瓷。该陶瓷的压敏电压为8V／mm，非线性系数为19，漏电流为13μA；其克服了瓷片机械强度劣化及能量耐受能力下降的缺陷。该制备工艺简单，为ZnO压敏电阻器的低压化提供了新方案。