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室温下在玻璃基片上用射频磁控溅射法制备了不同厚度的ZnO：Al（AZO）缓冲层，并在该同质缓冲层上溅射生长了AZO薄膜。用XRD测试了薄膜结构，用四探针法测量了薄膜方块电阻，用紫外-可见光谱仪测试了薄膜透过率，用双光束红外分光光度计测试了薄膜在中红外范围内的红外反射率。并比较并分析了引入同质缓冲层前后薄膜结构与性能的变化。结果表明，与没有缓冲层的样品相比较，适当厚度的同质缓冲层能降低AZO薄膜中的残余应力，使薄膜晶粒尺寸变大，降低AZO薄膜的方块电阻，使薄膜的紫外截止边发生蓝移，增加薄膜的红外反射率，并不