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采用分解GaP这一新型固态P源分子束外延在GaAs衬底成功制备了InGaP外延薄膜.3μm厚的InGaP外延层低温荧光峰位是1.998 eV,半峰宽为5.26meV.双晶摇摆曲线的线宽同GaAs衬底相近.霍尔测量非故意掺杂InGaP外延层的室温迁移率同其他源或其他方法生长的外延层结果类似.
分解GaP源固态分子束外延生长InGaP/GaAs的结构和性能
【摘 要】
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采用分解GaP这一新型固态P源分子束外延在GaAs衬底成功制备了InGaP外延薄膜.3μm厚的InGaP外延层低温荧光峰位是1.998 eV,半峰宽为5.26meV.双晶摇摆曲线的线宽同GaAs衬底相近
【机 构】
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湖北大学
【出 处】
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湖北大学学报(自然科学版)
【发表日期】
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2006年3期
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