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2001《国际半导体技术指南（ITRS）》规划出半导体技术未来15年内的发展。它主要强调芯片特片尺寸的进一步缩小，2001年0．13μm，2004年90nm，2007年70nm，2010年50nm，2013年30nm，2016年22nm。阻碍芯征特征尺寸缩小的关键是光学光刻技术，为此，世界各强国加速开发下一代光学光刻技术，如157nm光学光刻、电子束光刻（EBL）和极紫外线（EUVL）光刻等。展望了缩小芯征特征尺寸的前景和存在的问题。