【摘 要】
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1M位DRAM的研制工作在日本国内外正以最高效率在进行着。今年(1985年)2月在美国纽约市召开的国际固体电路会议(ISSCC)上,实际发表了九篇论文。其中,在去年(1985年)的ISSCC上
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1M位DRAM的研制工作在日本国内外正以最高效率在进行着。今年(1985年)2月在美国纽约市召开的国际固体电路会议(ISSCC)上,实际发表了九篇论文。其中,在去年(1985年)的ISSCC上,世界上最早发表256k CMOS SRAM的东芝公司,这一次和日立公司、美国电报电话公司、莫斯蒂克公司同时集中发表了1M位CMOS DRAM(见照片1)。而且,去
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