【摘 要】
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在半导体的制造过程中,为减少RC延时效应,其中作为绝缘层的low-k材料被广泛引入.由于low-k材料的强度低于二氧化硅,在芯片切割分离过程中,传统的刀具切割会产生分层现象.并且
【机 构】
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西安微电子技术研究所,陕西西安710600
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在半导体的制造过程中,为减少RC延时效应,其中作为绝缘层的low-k材料被广泛引入.由于low-k材料的强度低于二氧化硅,在芯片切割分离过程中,传统的刀具切割会产生分层现象.并且由于使用纯水作为切割水,会使得焊盘表面的金属层发生电化学腐蚀.为改善切割过程中上述因素对产品良率造成的影响,采用激光开槽与刀具划片相结合的切割工艺.本文主要探究激光开槽相关参数对开槽质量的影响,以获得高质量的满足后续刀具切割加工要求的晶圆.通过研究发现,影响开槽质量的参数主要包括:激光功率、激光频率、开槽速度,并且经过激光开槽后的晶圆在后续进行切割时会大大提高加工效率.
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