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通过传统划片技术与隐形切割的比较,介绍了隐形切割的技术特点;对隐形切割的基本原理、激光波长选择、切割过程中晶圆内改质层的形......
在半导体的制造过程中,为减少RC延时效应,其中作为绝缘层的low-k材料被广泛引入.由于low-k材料的强度低于二氧化硅,在芯片切割分离......
本文研究的是视觉检测技术在高精度晶圆划片系统对晶圆进行划片的过程中的应用。针对晶圆划片中晶圆芯片小、划片精度要求高,以及......
分析了在多芯片叠装封装产品中采用晶圆级芯片贴装薄膜对传统芯片制备以及后续封装工艺所产生的巨大影响。阐述了在晶圆级芯片贴装......
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碳化硅(SiC)材料具有禁带宽度大、导热性好、载流子迁移率高等优点,是第三代半导体材料的代表之一。因其莫氏硬度大,致使划片难度......
