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研究了同一P阱内两个130nmNMOS器件在受到重离子辐射后产生的电荷共享效应。使用TCAD仿真构造并校准了130nmNMOS管。研究了在有无P^＋保护环结构及不同器件间距下，处于截止态的NMOS晶体管之间的电荷共享，给出了电荷共享效应与SET脉冲电流产生的机理。同时分析了NMOS晶体管中的寄生双极管效应对反偏漏体结电荷收集的加剧作用。仿真结果表明，P^＋保护环可以有效地减小NMOS器件间的电荷共享，加速SET脉冲电流的泄放，证实了P^＋保护环对器件抗单粒子辐射的有效性，从而给出了该方法在抗单粒子辐射器件