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研究了ULSI多层互连工艺中铜布线的CMP的机理；对影响抛光速率和抛光后表面状态的诸因素，如抛光条件、抛光方式和抛光耗材进行了分析；特别针对抛光液对铜布线CMP的影响，提出了目前存在的主要问题，并对未来的研究方向和研究内容进行了展望。
ULSI多层铜布线CMP影响因素分析研究
【摘 要】
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研究了ULSI多层互连工艺中铜布线的CMP的机理；对影响抛光速率和抛光后表面状态的诸因素，如抛光条件、抛光方式和抛光耗材进行了分析；特别针对抛光液对铜布线CMP的影响，提出了目前
【机 构】
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河北工业大学微电子研究所
【出 处】
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微纳电子技术
【发表日期】
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2006年9期
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