铜布线相关论文
早期的IC前工序制造工艺中并不使用电镀.但是随着圆片级封装(WLP)、倒装芯片(FC)技术和芯片尺寸封装(CSP)等新型封装技术的出现,Cu......
凸点电镀是最近发展起来的新型电镀技术,是将传统电镀技术运用于微电子微细加工领域的典型范例;其它包括近年来蓬勃发展的MEMS电镀......
本文介绍了铜作为互连金属的优点、面临的困难及解决方案,讨论了阻挡层材料和低介电常数材料的的作用及选取原则,介绍了制备铜互连......
美国Intel公司于2000年11月7日宣布开发完成0.13μm的半导体制造技术,并宣布将在2001年采用该技术批量生产微处理器,并向市场推出工......
在有线通讯领域,CMOS工艺的应用范围正在不断扩大。在使用铜布线的信号传输中,使用CMOS工艺已可以轻松实现数Gb/s的数据传输速率。......
索尼计算机娱乐公司、IBM公司、东芝公司宣布 :三家公司计划联合研究开发一种先进的芯片结构 :新兴宽带时期的新一代器件。它们将共同......
采用低介电常数材料(低k介质)作为Cu布线中的介质层,已经成为集成电路技术发展的必然趋势。由于低k介质的低耐压性,加工的机械强度......
化学机械平坦化(CMP)过程中,抛光液的化学作用对平坦化效果起着不可替代的作用。介绍了碱性抛光液中氧化剂(H2O2)对铜布线CMP的作......
期刊
在极大规模集成电路Cu布线的化学机械平坦化过程中,抛光后表面薄膜厚度的一致性是检验平坦化能力的重要参数。从抛光过程中晶圆所......
NEC开发了为制作未来高速、高可靠性LSI所需的 0 5 μm间距的Cu布线新技术。Cu布线与原铝合金布线相比 ,电阻低、可大电流流经。所以可应用于......
研究了LTCC(低温共烧玻璃 -陶瓷 )N2 气氛下基片排胶效果与铜布线质量。用综合热分析仪分析了LTCC基片N2 烧结 ,发现有机物的排放......
在有线通讯领域。CMOS工艺的应用范围正在不断扩大。在使用铜布线的信号传输中,使用CMOS工艺已可以轻松实现数Gb/s的数据传输速率。......
分析介绍了Cu层表面粗糙度对器件性能的影响以及超大规模集成电路中多层Cu布线CMP的作用机理,研究分析了碱性抛光液对Cu的表面粗糙......
为了实现氧化物薄膜晶体管(TFT)的低电阻布线,采用Cu作为氧化物TFT的源漏电极。通过优化成膜工艺制备了电阻率低至2.0μΩ·cm......
从钽膜质量的角度研究了用溅射方法在硅衬底上得到的60 nm钽膜对铜硅互扩散的阻挡效果,钽膜的质量通过对硅衬底的表面处理以及钽膜......
索尼化工在“FPD International 2008”展会上推出了新开发的“感光性低排斥聚酰亚胺树脂”。这种树脂设想用作覆盖柔性底板布线的......
帝人杜邦薄膜使用白色聚萘二甲酸乙二酯(PEN)薄膜“Teonex”成功试制了LED背照灯用薄膜底板。具体做法是将夹着铜箔的2张PEN薄膜加工......
索尼化工与信息产品公司在“FPD International 2008”展会上展出了新开发的“感光性低排斥聚酰亚胺树脂”。这种树脂设想用作覆盖......
低温共烧陶瓷(LTCC)是现代微电子封装中重要的研究分支,主要用于高速、高频系统。介绍了低温共烧陶瓷的发展历程及其中包含的若干......
铜布线工艺在集成电路布线中,铝被广泛使用,其布线工艺较为简单.1997年9月,IBM公司率先推出一种称为CMOS7S的新技术,该技术在集成......
一种超大规模集成电路多层铜布线用化学机械全局平面化抛光液,其组成成分是:(质量分数)磨料18%-50%,螯合剂0.1%~10%,络合剂0.005%~25%,活性剂0.1%~10%,......
日本日立化成工业展出了面向传输高速信号的印刷电路板,采用LOW Profile设计的铜(Cu)布线。其特点是,在传输5GHz高速信号时,传输损耗......
GLSI多层铜互连线的平坦化中,抛光液中的SiO2磨料对铜的平坦化效率具有重要的作用。研究了碱性纳米SiO2质量分数对300 mm铜去除速......
期刊
研究了ULSI多层互连工艺中铜布线的CMP的机理;对影响抛光速率和抛光后表面状态的诸因素,如抛光条件、抛光方式和抛光耗材进行了分析;......
对用于甚大规模集成电路(ULSI)制造的关键平坦化工艺--铜化学机械抛光(CMP)技术进行了讨论.着重分析了铜化学机械抛光的抛光过程和......
美国莫托洛拉公司制作了高性能CMOSSRAMc其晶体管长度为O.15mp,采用最佳接触和铜布线技术。用铜布线替代铝布线可大幅度提高加工速度......
随着极大规模集成电路(ULSI)的发展,特征尺寸进一步减小,布线层数增加,铜布线已逐步取代铝布线应用于极大规模集成电路(ULSI)的制......
讨论了碱性化学镀铜成分中CuSO4、还原剂HCHO以及NaOH的浓度对化学镀效果的影响,得到了适合超大规模集成电路铜金属化的化学镀溶液......
新器件、新材料和新工艺不断推动着集成电路按照摩尔定律快速发展。越来越高的集成度,越来越小的特征尺寸和越来越大的晶圆面积对......