AlInAs/GaINAsHBTIC技术

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本文描述了用与InP衬底晶格匹配的AlInAs/GaInAs异质结双极晶体管制作的集成电路。HBT的发射极尺寸为2μm×5μm,截止频率fT和最高振荡频率fmax分别为90GHz和70GHz。用电流型逻辑(CML)制作了环形振荡器、触发器分频电路和双模前置换算器。其环形振荡器每门延迟时间为15.8ps,CML触发器分频电路反转速率为24.8GHz。而4/5和8/9双模前置换算器分别由106和124
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